2N2396
BJT
NPN
TO50-1
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.300 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.450 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO50-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 30 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.45 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2396:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2396?
Los reemplazos compatibles para el 2N2396 incluyen: 2N2388, 2N2389, 2N2390, 2N2391, 2N2392, 2N2393, 2N2394, 2N2395, 2N2397, 2N2398, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2396?
El 2N2396 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO50-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2396?
El 2N2396 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.300 A.