2N25
MOSFET
N-Channel
TO251 TO252
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
2.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 TO252 |
| tr - Rise Time | 8.27 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 11.2 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.6 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2N25?
El 2N25 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251 TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N25?
El 2N25 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.