2N251
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N251:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N251?
Los reemplazos compatibles para el 2N251 incluyen: 2SD1555, 2N2494, 2N2495, 2N2496, 2N25, 2N250, 2N2501, 2N2509, 2N250A, 2N2510, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N251?
El 2N251 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.