2N2662

BJT PNP MT27

Parametros Principales

Vce Max. 70.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 15.000 W
Tj Max. 100.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package MT27
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 20 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 70 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 100 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2662:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N2662?

Los reemplazos compatibles para el 2N2662 incluyen: 2N2655, 2N2656, 2N2657, 2N2658, 2N2659, 2N266, 2N2660, 2N2661, 2N2663, 2N2664, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N2662?

El 2N2662 es un transistor BJT PNP en encapsulado MT27.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N2662?

El 2N2662 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 70.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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