2N2670

BJT PNP MT27

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 50.000
Potencia Max. 15.000 W
Tj Max. 100.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package MT27
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 20 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 100 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 50

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2670:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N2670?

Los reemplazos compatibles para el 2N2670 incluyen: 2N2663, 2N2664, 2N2665, 2N2666, 2N2667, 2N2668, 2N2669, 2N267, 2N2671, 2N2672, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N2670?

El 2N2670 es un transistor BJT PNP en encapsulado MT27.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N2670?

El 2N2670 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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