2N2707
BJT
NPN*PNP
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
32.000 V
Vcb Max.
32.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
65.000
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | NPN*PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 32 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 32 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 65 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2707:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2707?
Los reemplazos compatibles para el 2N2707 incluyen: 2N2222, 2N2698, 2N2699, 2N269A, 2N27, 2N270, 2N2706, 2N2706M, 2N2706MP, 2N2708, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2707?
El 2N2707 es un transistor BJT NPN*PNP en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2707?
El 2N2707 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 32.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.