2N2712
BJT
NPN
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
18.000 V
Vcb Max.
18.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
75.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 12 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 18 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 18 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 75 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2712:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2712?
Los reemplazos compatibles para el 2N2712 incluyen: 2N2706M, 2N2706MP, 2N2707, 2N2708, 2N2709, 2N271, 2N2710, 2N2711, 2N2713, 2N2714, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2712?
El 2N2712 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2712?
El 2N2712 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 18.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.