2N2730
BJT
PNP
MT60
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
65.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT60 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 65 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 30 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2730:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2730?
Los reemplazos compatibles para el 2N2730 incluyen: 2N2723, 2N2724, 2N2725, 2N2726, 2N2727, 2N2728, 2N2729, 2N273, 2N2731, 2N2732, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2730?
El 2N2730 es un transistor BJT PNP en encapsulado MT60.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2730?
El 2N2730 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 65.000 A.