2N2896CSM4

BJT NPN LCC3

Parametros Principales

Vce Max. 90.000 V
Vcb Max. 140.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 1.800 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package LCC3
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 120 MHz
Collector Capacitance (Cc) 15 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 7 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 140 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 90 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1.8 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2896CSM4:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N2896CSM4?

Los reemplazos compatibles para el 2N2896CSM4 incluyen: 2N2894ACSM, 2N2894AQF, 2N2894CSM, 2N2894DCSM, 2N2895, 2N2896, 2N3773, 2N2696CSM, 2N2857C1, 2N2857C1A, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N2896CSM4?

El 2N2896CSM4 es un transistor BJT NPN en encapsulado LCC3.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N2896CSM4?

El 2N2896CSM4 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 90.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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