2N2906E
BJT
PNP
TES6
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TES6 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 250 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2906E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2906E?
Los reemplazos compatibles para el 2N2906E incluyen: 2N2906AQF, 2N2906CSM, 2N2904E, 2N2904U, 2N2904U1, 2N2906U, 2N3904A, 2N3904C, 2N3904E, 2N3904S, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2906E?
El 2N2906E es un transistor BJT PNP en encapsulado TES6.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2906E?
El 2N2906E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.