2N2912
BJT
PNP
TO8
Parametros Principales
Vce Max.
5.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
25.000 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
110.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO8 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 25 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 5 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 110 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 75 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2912:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2912?
Los reemplazos compatibles para el 2N2912 incluyen: 2N2907AQF, 2N2907AUB, 2N2907CSM, 2N2908, 2N2909, 2N291, 2N2910, 2N2911, 2N2913, 2N2913DCSM, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2912?
El 2N2912 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO8.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2912?
El 2N2912 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 5.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 25.000 A.