2N2927-51
BJT
PNP
TO51
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO51 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 20 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2927-51:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2927-51?
Los reemplazos compatibles para el 2N2927-51 incluyen: 2SC4793, 2N2926-5, 2N2926B, 2N2926G, 2N2926O, 2N2926R, 2N2926Y, 2N2927, 2N2927-46, 2N2928, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2927-51?
El 2N2927-51 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO51.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2927-51?
El 2N2927-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.