2N2979
BJT
NPN
TO71-1
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
150.000
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO71-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 150 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2979:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2979?
Los reemplazos compatibles para el 2N2979 incluyen: 2N2971, 2N2972, 2N2973, 2N2974, 2N2975, 2N2976, 2N2977, 2N2978, 2N2979A, 2N2979DCSM, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2979?
El 2N2979 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO71-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2979?
El 2N2979 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.