2N2979DCSM
BJT
NPN
LCC2
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC2 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2979DCSM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2979DCSM?
Los reemplazos compatibles para el 2N2979DCSM incluyen: 2N2973, 2N2974, 2N2975, 2N2976, 2N2977, 2N2978, 2N2979, 2N2979A, 2N297A, 2N2980, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2979DCSM?
El 2N2979DCSM es un transistor BJT NPN en encapsulado LCC2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2979DCSM?
El 2N2979DCSM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.