2N2999
BJT
PNP
TO72
Parametros Principales
Vce Max.
10.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.075 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
0.075 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO72 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1400 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 1.7 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.075 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2999:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2999?
Los reemplazos compatibles para el 2N2999 incluyen: 2N2991, 2N2992, 2N2993, 2N2994, 2N2995, 2N2996, 2N2997, 2N2998, 2N30, 2N300, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2999?
El 2N2999 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO72.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2999?
El 2N2999 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.075 A.