2N3055-10
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
55.000 V
Vcb Max.
95.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
115.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 95 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 55 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 115 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3055-10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3055-10?
Los reemplazos compatibles para el 2N3055-10 incluyen: 2N3053L, 2N3053S, 2N3053SM, 2N3054, 2N3054A, 2N3054S, 2N3055, 2N3055-1, 2N3055-2, 2N3055-3, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3055-10?
El 2N3055-10 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3055-10?
El 2N3055-10 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 55.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.