2N3055B
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
115.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 115 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3055B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3055B?
Los reemplazos compatibles para el 2N3055B incluyen: 2SC1815, 2N3055-5, 2N3055-6, 2N3055-7, 2N3055-8, 2N3055-9, 2N3055A, 2N3055AG, 2SC3907S, 2SA200-O, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3055B?
El 2N3055B es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3055B?
El 2N3055B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.