2N3055ESM
BJT
NPN
TO252
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
115.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 115 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3055ESM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3055ESM?
Los reemplazos compatibles para el 2N3055ESM incluyen: 2N3055-5, 2N3055-6, 2N3055-7, 2N3055-8, 2N3055-9, 2N3055A, 2N3055C, 2N3055E, 2N3055H, 2N3055S, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3055ESM?
El 2N3055ESM es un transistor BJT NPN en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3055ESM?
El 2N3055ESM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.