2N3055ESMD
BJT
NPN
TO276AB
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
115.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 115 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3055ESMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3055ESMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N3055ESMD incluyen: 2SD1047, 2N3055-9, 2N3055A, 2N3055C, 2N3055E, 2N3055ESM, 2N2920AHR, 2N2920L, 2N2920U, 2N3012CSM, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3055ESMD?
El 2N3055ESMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3055ESMD?
El 2N3055ESMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.