2N3055SD
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
115.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 115 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3055SD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3055SD?
Los reemplazos compatibles para el 2N3055SD incluyen: 2N3055-8, 2N3055-9, 2N3055A, 2N3055C, 2N3055E, 2N3055ESM, 2N3055H, 2N3055S, 2N3055U, 2N3055V, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3055SD?
El 2N3055SD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3055SD?
El 2N3055SD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.