2N309
BJT
PNP
TO22
Parametros Principales
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.005 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.030 W
Tj Max.
55.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO22 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Collector Capacitance (Cc) | 2 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.005 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 55 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.03 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N309:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N309?
Los reemplazos compatibles para el 2N309 incluyen: 2N307B, 2N308, 2N3080, 2N3081, 2N3081-46, 2N3081-51, 2N3082, 2N3083, 2N31, 2N310, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N309?
El 2N309 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO22.