2N3132
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
90.000 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.03 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 90 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3132:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3132?
Los reemplazos compatibles para el 2N3132 incluyen: 2SC2655, 2N3125, 2N3126, 2N3127, 2N3128, 2N3129, 2N313, 2N3130, 2N3131, 2N3133, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3132?
El 2N3132 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.