2N3162
BJT
NPN
TO77-2
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
45.000 V
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO77-2 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3162:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3162?
Los reemplazos compatibles para el 2N3162 incluyen: 2N3157, 2N3158, 2N3159, 2N315A, 2N315B, 2N316, 2N3160, 2N3161, 2N3163, 2N3164, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3162?
El 2N3162 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO77-2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3162?
El 2N3162 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V .