2N3163

BJT PNP TO61

Parametros Principales

Vce Max. 40.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 12.000
Potencia Max. 85.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO61
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 1 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 40 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 85 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 12

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3163:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N3163?

Los reemplazos compatibles para el 2N3163 incluyen: 2N3158, 2N3159, 2N315A, 2N315B, 2N316, 2N3160, 2N3161, 2N3162, 2N3164, 2N3165, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N3163?

El 2N3163 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO61.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N3163?

El 2N3163 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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