2N3171H
BJT
PNP
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
12.000
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 75 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 12 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3171H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3171H?
Los reemplazos compatibles para el 2N3171H incluyen: 2N3167, 2N3168, 2N3169, 2N316A, 2N317, 2N3170, 2N3171, 2N3772J, 2NC5566, 2SA1012D, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3171H?
El 2N3171H es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3171H?
El 2N3171H tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.