2N3312
BJT
PNP
TO36
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
170.000 W
Tj Max.
110.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO36 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.06 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 25 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 110 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 170 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3312:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3312?
Los reemplazos compatibles para el 2N3312 incluyen: 2N3307, 2N3308, 2N3309, 2N3309A, 2N330A, 2N331, 2N3310, 2N3311, 2N3313, 2N3314, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3312?
El 2N3312 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO36.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3312?
El 2N3312 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.