2N3460
MOSFET
N-Channel
TO18
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.001 A
RDSon
100000.0000 Ω
Vgs Max.
50.000 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.001 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 50 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 100000 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3460:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3460?
Los reemplazos compatibles para el 2N3460 incluyen: 2N3458, 2N3459, 2SJ599.
¿Que tipo de transistor es el 2N3460?
El 2N3460 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3460?
El 2N3460 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.001 A.