2N3636UB
BJT
PNP
UB
Parametros Principales
Vce Max.
175.000 V
Vcb Max.
175.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
1.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | UB |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 175 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 175 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3636UB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3636UB?
Los reemplazos compatibles para el 2N3636UB incluyen: 2SB817, 2N3635, 2N3635S, 2N3636, 2N3636S, 2N3509CSM, 2N3509DCSM, 2N3634CSM, 2N3634L, 2N3634UB, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3636UB?
El 2N3636UB es un transistor BJT PNP en encapsulado UB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3636UB?
El 2N3636UB tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 175.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.