2N3637L
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
175.000 V
Vcb Max.
175.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 175 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 175 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3637L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3637L?
Los reemplazos compatibles para el 2N3637L incluyen: 2SC945, 2N3636, 2N3636S, 2N3637, 2N3634L, 2N3634UB, 2N3635L, 2N3635UB, 2N3636L, 2N3636UB, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3637L?
El 2N3637L es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3637L?
El 2N3637L tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 175.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.