2N3637UB
BJT
PNP
UB
Parametros Principales
Vce Max.
175.000 V
Vcb Max.
175.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
1.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | UB |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 175 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 175 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3637UB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3637UB?
Los reemplazos compatibles para el 2N3637UB incluyen: 2N3636S, 2N3637, 2N3637S, 2N3634UB, 2N3635L, 2N3635UB, 2N3636L, 2N3636UB, 2N3637CSM, 2N3637DCSM, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3637UB?
El 2N3637UB es un transistor BJT PNP en encapsulado UB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3637UB?
El 2N3637UB tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 175.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.