2N3638

BJT PNP TO106

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 25.000 V
Ic Max. 0.500 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 125.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO106
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 20 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 125 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3638:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N3638?

Los reemplazos compatibles para el 2N3638 incluyen: 2N3634, 2N3634S, 2N3635, 2N3635S, 2N3636, 2N3636S, 2N3637, 2N3637S, 2N3638A, 2N3639, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N3638?

El 2N3638 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO106.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N3638?

El 2N3638 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.

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