2N367
BJT
PNP
TO22
Parametros Principales
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO22 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N367:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N367?
Los reemplazos compatibles para el 2N367 incluyen: 2SC2625, 2N3660, 2N3661, 2N3662, 2N3663, 2N3664, 2N3665, 2N3666, 2N3667, 2N3671, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N367?
El 2N367 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO22.