2N3766SMD
BJT
NPN
TO276AB
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
25.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3766SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3766SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N3766SMD incluyen: 2SC828, 2N3763S, 2N3764, 2N3764A, 2N3765, 2N3766, 2N3766SM, 2N3725UB, 2N3735CSM4, 2N3735L, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3766SMD?
El 2N3766SMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3766SMD?
El 2N3766SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.