2N3767SMD
BJT
NPN
TO276AB
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 50 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3767SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3767SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N3767SMD incluyen: 2N3765, 2N3766, 2N3766SM, 2N3767, 2N3767SM, 2N3735L, 2N3737UB, 2N3740R, 2N3741SMD, 2N3762L, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3767SMD?
El 2N3767SMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3767SMD?
El 2N3767SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.