2N3779
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3779:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3779?
Los reemplazos compatibles para el 2N3779 incluyen: 2SB649, 2N3771, 2N3772, 2N3773, 2N3774, 2N3775, 2N3776, 2N3777, 2N3778, 2N377A, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3779?
El 2N3779 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3779?
El 2N3779 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.