2N3789X
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
150.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3789X:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3789X?
Los reemplazos compatibles para el 2N3789X incluyen: 2N3782, 2N3783, 2N3784, 2N3785, 2N3788, 2N3789, 2N3789SM, 2N3766SMD, 2N3766SMD05, 2N3767SMD, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3789X?
El 2N3789X es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3789X?
El 2N3789X tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.