2N3789XSMD
BJT
PNP
TO276AB
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
150.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3789XSMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3789XSMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N3789XSMD incluyen: 2SD2012, 2N3783, 2N3784, 2N3785, 2N3788, 2N3789, 2N3789SM, 2N3766SMD05, 2N3767SMD, 2N3767SMD05, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3789XSMD?
El 2N3789XSMD es un transistor BJT PNP en encapsulado TO276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3789XSMD?
El 2N3789XSMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.