2N3790X

BJT PNP TO252

Parametros Principales

Vce Max. 80.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 10.000 A
hFE Min 25.000
Potencia Max. 150.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 4 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 10 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 7 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 80 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 150 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 25

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3790X:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N3790X?

Los reemplazos compatibles para el 2N3790X incluyen: 2N3784, 2N3785, 2N3788, 2N3789, 2N3789SM, 2N379, 2N3790, 2N3790SM, 2N3791, 2N3791SM, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N3790X?

El 2N3790X es un transistor BJT PNP en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N3790X?

El 2N3790X tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.

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