2N3790XSMD
BJT
PNP
TO276AB
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
150.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3790XSMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3790XSMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N3790XSMD incluyen: 2N379, 2N3790, 2N3790SM, 2N3790X, 2N3767SMD05, 2N3768, 2N3771G, 2N3772G, 2N3773G, 2N3789X, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3790XSMD?
El 2N3790XSMD es un transistor BJT PNP en encapsulado TO276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3790XSMD?
El 2N3790XSMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.