2N3835
BJT
NPN
TO50-2
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO50-2 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1000 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 1.7 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3835:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3835?
Los reemplazos compatibles para el 2N3835 incluyen: 2N3829, 2N383, 2N3830, 2N3830L, 2N3831, 2N3832, 2N3833, 2N3834, 2N3836, 2N3837, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3835?
El 2N3835 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO50-2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3835?
El 2N3835 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.