2N3836
BJT
NPN
X55-3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
2000.000
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X55-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 200 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 2000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3836:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3836?
Los reemplazos compatibles para el 2N3836 incluyen: 2N383, 2N3830, 2N3830L, 2N3831, 2N3832, 2N3833, 2N3834, 2N3835, 2N3837, 2N3838, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3836?
El 2N3836 es un transistor BJT NPN en encapsulado X55-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3836?
El 2N3836 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.