2N3867SMD05
BJT
PNP
TO276AA
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AA |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 120 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 35 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N3867SMD05:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N3867SMD05?
Los reemplazos compatibles para el 2N3867SMD05 incluyen: 2N3866, 2N3866A, 2N3866AUB, 2N3867, 2N3867SM, 2N3904, 2N3804ADCSM, 2N3810HR, 2N3810L, 2N3810U, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N3867SMD05?
El 2N3867SMD05 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO276AA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N3867SMD05?
El 2N3867SMD05 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.