2N4106
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
1.600 W
Tj Max.
165.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 165 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.6 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4106:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4106?
Los reemplazos compatibles para el 2N4106 incluyen: 2N4087A, 2N409, 2N4099, 2N41, 2N410, 2N4100, 2N4104, 2N4105, 2N4106A, 2N411, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4106?
El 2N4106 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.