2N412
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vcb Max.
13.000 V
Ic Max.
0.015 A
hFE Min
75.000
Potencia Max.
0.080 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 8 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 18 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.015 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 13 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.08 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 75 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N412:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N412?
Los reemplazos compatibles para el 2N412 incluyen: 2N4106A, 2N411, 2N4111, 2N4112, 2N4113, 2N4114, 2N4115, 2N4116, 2N4121, 2N4122, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N412?
El 2N412 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.