2N4209C1B
BJT
PNP
LCC1
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.360 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4.5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.36 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4209C1B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4209C1B?
Los reemplazos compatibles para el 2N4209C1B incluyen: 2N2222A, 2N419, 2N42, 2N420, 2N4207, 2N4208, 2N4209, 2N3998SMD, 2N3998SMD05, 2N3999SMD, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4209C1B?
El 2N4209C1B es un transistor BJT PNP en encapsulado LCC1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4209C1B?
El 2N4209C1B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.