2N4339
MOSFET
N-Channel
TO-18
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.050 A
RDSon
1700.0000 Ω
Vgs Max.
1.800 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-18 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.05 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 1.8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1700 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4339:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4339?
Los reemplazos compatibles para el 2N4339 incluyen: 2N4221, 2N4222, 2N4220A, 2N4221A, 2N4222A, 2N4223, 2N4224, 2N4338, 2N4340, 2N4341, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4339?
El 2N4339 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4339?
El 2N4339 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.050 A.