2N4358

BJT PNP TO5

Parametros Principales

Vce Max. 240.000 V
Vcb Max. 240.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 80.000
Potencia Max. 0.700 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO5
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 40 MHz
Collector Capacitance (Cc) 7 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 240 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 240 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.7 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 80

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4358:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N4358?

Los reemplazos compatibles para el 2N4358 incluyen: 2N4347, 2N4348, 2N4349, 2N4350, 2N4354, 2N4355, 2N4356, 2N4357, 2N4359, 2N438, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N4358?

El 2N4358 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N4358?

El 2N4358 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 240.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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