2N4393C1D
MOSFET
N-Channel
LCC1
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
0.050 A
RDSon
100.0000 Ω
Vgs Max.
40.000 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC1 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.05 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 40 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 100 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4393C1D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4393C1D?
Los reemplazos compatibles para el 2N4393C1D incluyen: 2N3971, 2N3972, 2N4342, 2N4343, 2N4360, 2N4393C1A, 2N4393C1B, 2N4393C1C, 2N4393DCSM, 2N4416A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4393C1D?
El 2N4393C1D es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4393C1D?
El 2N4393C1D tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.050 A.