2N4449UB
BJT
NPN
UB
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
1.400 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | UB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 4 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4449UB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4449UB?
Los reemplazos compatibles para el 2N4449UB incluyen: 2N4436, 2N4437, 2N4438, 2N4439, 2N444, 2N4440, 2N4449, 2N4209C1B, 2N4236X, 2N4261UBC, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4449UB?
El 2N4449UB es un transistor BJT NPN en encapsulado UB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4449UB?
El 2N4449UB tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.