2N4900X
BJT
PNP
TO-66
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-66 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N4900X:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N4900X?
Los reemplazos compatibles para el 2N4900X incluyen: 2N4898, 2N4899, 2N49, 2N4900, 2N4401SC, 2N4403G, 2N4403SC, 2N4449UB, 2N4854U, 2N4897X, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N4900X?
El 2N4900X es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-66.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N4900X?
El 2N4900X tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.